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未来高亮度照明LED的市场将非常广阔

未来高亮度照明LED的市场将非常广阔

  • 分类:索菲动态
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  • 发布时间:2013-01-19 12:30
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        LED是一种节能环保、寿命长和多用途的光源。专业咨询机构预测全球高亮度LED市场将从06年的40亿美元增长到2011年的90亿美元,年均复合增长率16.7%。中国大陆已经成为世界上重要的中低端LED封装生产基地。06年我国LED的产值为140亿元,预计08年应用市场规模将达到540亿元,到2010年国内LED产业的规模超过1000亿元。

        2000年至2003年之间,手机背光源的普及推动全球LED产业快速发展;从2007年起,笔记本电脑屏幕采用LED逐渐普及,是全球LED产业新的发展动力;未来高亮度照明LED的市场非常广阔。

        LED的生产过程包括单晶生长和外延生长、芯片制造和封装。上游的单晶和外延生长对技术和资本的要求很高。LED产业的核心问题是材料技术的突破,它的发展史是一部材料开发史。

       从“十一五”计划开始,我国政府将把半导体照明工程作为一个重大工程进行推动。国内企业大多数从事LED下游的封装和应用,所需芯片、关键设备和技术大部分得从境外进口。

       在国内从事LED业务的上市公司中,我们推荐同方股份。同方股份持有55%股权的清芯光电生产高亮度GaN基外延片和芯片,目前其LED产品封装后可达60lm/w。清芯光电拥有核心MOCVD设备、高亮度蓝绿光LED外延片生长、高亮度蓝绿光芯片制造的知识产权。08年清芯光电产能可望达到12亿颗高亮度芯片(08年的这一高亮度LED细分市场的需求至少达到45亿颗),全部达产后每年实现销售收入7亿元,净利润约2亿元。同方股份明年将配股,将投入8亿元使清芯光电最终拥有45条生产线,形成年产36亿颗高亮度芯片的生产能力。

       投资建议

       LED是一种节能环保、寿命长和多用途的光源,其能耗仅为白炽灯的10%,荧光灯的50%。LED作为一种照明光源的普及将能能够显著降低电力消耗,减少二氧化碳排放。

       根据台湾工业研究院(IEK)统计,2006年全球LED产值达61.7亿美元。Strategies Unlimited预测,全球高亮度LED市场将从2006年的40亿美元增长到2011年的90亿美元,年均复合增长率16.7%。中国大陆已经成为世界上重要的中低端LED封装生产基地。根据中国光学光电子协会统计,2006年我国LED的产值为140亿元,预计2008年应用市场规模将达到540亿元,到2010年国内LED照明及其相关产业产值将超过1000亿元。

       2000年至2003年之间,手机背光源的普及推动全球LED产业快速发展;从2007年起,LED背光源将逐渐在笔记本电脑屏幕和液晶电视中普及,是全球LED产业新的发展动力;未来高亮度照明LED的市场非常广阔。

       LED的生产过程包括单晶生长和外延生长、芯片制造和封装。上游的单晶和外延生长对技术和资本的要求很高。LED产业的核心问题是材料技术的突破,它的发展史是一部材料开发史。

       美国、欧洲和日本等发达国家都积极支持LED产业的发展,出台产业支持政策。从“十一五”计划开始,我国政府将把半导体照明工程作为一个重大工程进行推动。国内企业大多数从事LED下游的封装和应用,所需芯片、关键设备和技术大部分得从境外进口。

       在国内从事LED业务的上市公司中,我们推荐同方股份。同方股份持有55%股权的清芯光电生产高亮度GaN基外延片和芯片,目前其LED产品封装后可达60lm/w。清芯光电拥有核心MOCVD设备、高亮度蓝绿光LED外延片生长、高亮度蓝绿光芯片制造的知识产权。2006年8月公司建成投产我国第一条发光效率超过50lm/w的白光LED生产线,而台湾厂商同期的高亮度LED产品的发光效率为45lm/w。2008年清芯光电的产能可望达到12亿颗高亮度芯片,全部达产后每年实现销售收入约8亿元,净利润约2亿元。根据同方股份11月5日公布的董事会决议,明年配股完成后,公司将拥有45条生产线,最终形成年产36亿颗高亮度芯片的生产能力。

       LED是一种绿色光源

     LED是发光二极管的简称(Light-Emitting-Diode),是由化合物半导体材料制成的发光器件。其发光的基本原理是利用LED内原本分离两端的电子和空穴,在外加正向电压后相互结合时将电能转化成光能,能量以光的形式释放出来。

      与白炽灯和荧光灯相比,LED是一种节能环保、寿命长和多用途的光源。

      通过发光方式的转变,LED将电能直接转化为光能,能量转化效率大大高于白炽灯和荧光灯。理论上LED的能耗仅为白炽灯的10%,荧光灯的50%。中国绿色照明工程促进项目办公室的专项调查显示,我国照明用电每年在3000亿度以上,如由LED取代,可节省1/3的照明用电,相当于总投资规模超过2000亿元的三峡工程的全年发电量。LED作为一种照明光源的普及将能能够显著降低电力消耗,减少二氧化碳排放。LED的使用寿命可达10万小时,是荧光灯的10倍,白炽灯的100倍。LED光源的微型化、快速响应、色彩丰富以及可数字化控制等特点使其拥有巨大的应用市场。

      依发光波长可以把LED光源分为可见光LED(波长450-680nm)与不可见光(红外光)LED(波长850-1550nm)。可见光LED又可以分为高亮度与一般亮度LED(以1cd为分界)1。不可见光(红外光)LED可以分为短波红外光和长波红外光。表1列出各种类型LED光源的典型应用。

       照明用白光LED产品通常由蓝光LED芯片经过加入荧光粉的封装工序或者用红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片三色光组合的封装方式来制造。

       中国大陆是重要的中低端封装生产基地

       全球半导体照明产业平稳发展。根据台湾工业研究院(IEK)统计,2006年全球LED产值达61.7亿美元,较2005年增长7.7%。根据Strategies Unlimited预测,全球高亮度LED市场将从2006年的40亿美元增长到2011年的90亿美元,年均复合增长率为16.7%。顶点财经

        日本、美国和欧洲的企业拥有LED的核心技术和专利,在GaN基蓝光LED和白光LED等技术上处于领先地位。台湾和大陆的企业从产业链中、下游的芯片和封装环节起步,生产能力逐渐超过欧美国家。欧美厂家逐步集中于上游技术的研发,通过专利授权的方式获取产业发展的利益,而产能逐步萎缩。TEK预计至08年日本的LED产值为33亿美元,05-08年的年均复合增长率为4.8%;08年台湾地区的LED产值将达到22亿美元,05-08年年均增长22.4%。

        中国大陆已经成为世界上重要的中低端LED封装生产基地。根据中国光学光电子协会统计,2006年我国LED的产值为140亿元,预计2008年应用市场规模将达到540亿元,到2010年国内LED照明及其相关产业产值将超过1000亿元。国内市场将保持30%以上的增长速度。其中高亮度LED器件增长率超过50%,高亮度芯片的增长速度超过100%。

         市场前景广阔

         2008年国内LED产业的市场规模预计为540亿元,其中景观照明是最大的细分市场,背光源和显示屏次之。

          景观照明市场主要以街道、广场等公共场所装饰照明为主。由于LED功耗低,在用电量巨大的景观照明市场中具有很强的市场竞争力。2008年国内城市景观灯光市场规模将达到200亿元左右,是最大的应用领域。如著名的上海东方明珠广播电视塔去年将大小球体上的576处发光点全部换成LED灯,每晚约比原先节省75%的用电量。

          LED显示屏主要应用于证券和银行等金融机构、机场、港口、车站和公路等交通基础设施、体育场馆和商业广告等领域。产品价格下降和性能提高使LED的性价比提高,全彩色LED屏正在取代传统的灯箱、霓虹灯和磁翻板。2008年国内显示屏市场的规模将达到120亿元。

           LED背光源的色彩饱和度较佳,驱动较快,可以减少漏光、增加对比、进行区域控制,性能优于冷阴极荧光灯(CCFL)。而且冷阴极荧光灯含有汞等有害物质,LED相较之下更具环保优势。LED已经在小尺寸面板中普及,笔记本电脑和液晶电视等大尺寸面板需要的LED颗数多,散热和价格成为瓶颈。随着发光效率提高,大尺寸面板需要的LED颗数减少,散热可以得到解决,而且LED成本快速下降使其性价比逐步赶上冷阴极荧光灯。笔记本电脑和液晶电视背光源将是LED产业下一个杀手级应用。

           LED未来最大的应用是普通照明。很多国家都在加紧立法,鼓励使用节能型光源。欧盟、澳大利亚和美国分别将从2009、2010和2020年开始禁用白炽灯泡。国际主要照明厂商和第三方咨询机构都预测至2010年LED将广泛应用于室内照明。以LED占普通照明市场10%计,届时LED的普通照明市场的潜在规模将达250亿美元。以道路照明为例,大功率LED的发光效率已经达到60lm/w,城市路灯照明节能改造成为可能。目前,国家有关部门在上海进行了3万多盏路灯采用LED光源的改造试验,待试验完成后向全国推广。据2006年国家路灯行业统计,我国城市道路照明共有1500万只以上的路灯,近几年的增长率在20%以上。按此估算,全国每年照明路灯的市场规模不低于50亿元,使用LED作为光源可每年节电20亿度以上。

          大尺寸LCD背光源推动LED产业进入另一个发展高峰

          2003年Lumileds Lighting公司的Roland Haitz根据自1965年LED商业化以来的发展历史总结出一个经验性技术定律—每隔18至24个月LED的亮度可提高1倍,每隔10年价格下降90%(见图4)。这被称为LED行业的摩尔定律。根据Haitz定律,亮度达100lm/w的白光LED约在2008—2010年出现,而实际上日亚化学在2006年推出100lm/w白光LED的工程样品,CREE在2007年宣布可量产350mA下最小光通量为100lm的照明级LED。LED被应用于照明已经为时不远!

          早期应用于交通信号灯时LED的发光效率约为10lm/w。2000—2003年之间LED广泛用于手机背光源使全球LED产业迎来高增长期,台湾的LED企业在此期间崛起。2000年晶元光电迎合韩国三星对手机背光源的需求,在短短几个月时间内开发出全球第一只手机用“蓝色背光源”。尽管当时台湾的LED产品性能不如日本企业,但是一方面手机背光源不需要太高的性能,另一方面台湾产LED的成本仅是日本的三分之一。随着手机产量进入平稳增长阶段以及技术进步导致手机液晶面板使用LED数量减少,近两年手机背光源市场的增长乏力。

           大尺寸LCD面板用背光源将推动全球LED进入下一个发展高潮。2007年三星电子推出采用白光LED的40”、42”、52”和57”液晶电视,售价3000至8000美元不等;Sony于2007年11月推出70”LED背光液晶电视,售价400万日元;从今年年中开始,苹果在新一代笔记本电脑中全线采用LED背光源,惠普和华硕也相继推出LED背光的机型。这些标志着LED大规模进入大尺寸面板背光源市场。按每年发光效率提高15%,所需白光LED的数量减少15%计算,2006年全球大尺寸LCD背光源LED的潜在需求量约为238亿颗,2009年约为305亿颗(见图6)。假设LED背光源渗透率为10%,则2008年仅此一项对高亮度白光LED的需求就达30亿颗。以32”液晶电视为例,2006年CCFL背光模组的成本合计约为120美元,而LED背光模组的成本为350美元,两者成本相差近200%。根据Haitz定律,每年每单位流明的成本约降低20—25%,则到2008年LED背光模组的成本约为CCFL的150%左右。此时LED背光源所具备的性能优势(如色彩饱和度较好、动态影像无拖影、不含汞等)使其在这个价位上已经可以被消费者接受。

          大尺寸LCD背光源对中国LED产业有着更为重要的意义—类似清芯光电等拥有LED中、上游核心技术的少数中国LED企业有可能在LED新一轮快速发展中利用产品供不应求的机遇脱颖而出。

          LED是一个技术密集产业

          LED产业链的上游技术门槛高

          LED的生产过程包括单晶生长和外延生长、芯片制造和封装(见图7)。一般将单晶生长和外延生长视为这个产业的上游,芯片制造为中游,封装为下游。

          产业链的上游具有技术和资本密集的特点,下游的进入门槛相对较低。

           单晶片与外延片是LED的上游产品。以二元的III-V族化合物半导体材料—

            如砷化镓(GaAs)或磷化镓(GaP)等—制造单晶棒,经切割研磨后制成单晶片,作为LED的基板。LED基板的主要功能是承载。目前常用的LED基板有GaAs基板、GaP基板、蓝宝石(Sapphire)基板及碳化硅(SiC)基板。蓝宝石(由日亚主张)和碳化硅(由Cree主张)基板是蓝光LED常用的两种基板。

            两者各有利弊—蓝宝石基板的成本较高,而且硬度较高不易切割,但在稳定性以及与晶格配合上优于碳化硅基板。

           外延生长是利用气相外延法(HVPE)、液相外延法(LPE)或有机金属气相外延法(MOCVD)等方法在基板上沉积多层不同厚度的多元材料薄膜。液相和气相外延法的生长速度和量产能力高于有机金属气象外延法,但是在外延薄度和平整度的控制上不如后者;但是有机金属气象外延法的成本较高,而且成品率较低(最高只有70%左右)。高亮度LED对质量要求较高,因此有机金属气象外延法是生产高亮度LED的主流技术。

           在LED芯片加工工序中,先在外延片上进行光罩、蚀刻和热处理,制成金属电极,然后将基板磨薄、抛光,最后切割成管芯。

           在封装工序中,管芯黏着于导线架,根据产品的不同应用封装成灯泡型、数字显示型、点矩阵型或者表面贴装型。

            LED的技术核心是材料

          从LED产业链的下游到上游,技术含量和难度逐渐加大。

           在上游,未来的趋势是开发MOCVD生长技术,可一次大量生产晶片以降低蓝光LED晶片的生产成本;开发GaN基板材料,以提高紫外光LED的发光效率;运用量子点纳米技术开发多色光LED芯片。

           在中游的芯片环节,发展方向是使用斜面加工技术提高LED的外部量子效率;开发表面粗糙化或光子晶体技术,提高LED的发光效率;在维持效率的前提下开发大尺寸单颗LED管芯的技术。

            在下游的封装环节,相关企业力求在散热、二次光学设计、静电防护、筛选与可靠性保证等关键技术上取得突破,大面积管芯封装、大功率紫外光LED、新的荧光粉和涂敷工艺、多管芯集成封装等是未来的发展方向。

             LED经历了四个发展阶段。每个发展阶段在发光波长和发光效率上取得进步,而其核心是材料技术的突破。因此,LED的发展史是一部材料开发史。

             拥有核心专利的日亚、丰田合成、Cree、Lumileds和欧司朗通过交叉授权解决了相互之间的专利纠纷,并且结成战略联盟,建立相对于后来者的技术壁垒(见图8)。拥有核心专利的厂家还向其他厂家(其中很多是代工厂商)授权,并收取专利使用费。专利授权有助于技术扩散,通过市场竞争迅速降低产品成本,较低的产品价格也刺激了需求,利于产业进步。一些拥有专利的厂家还通过专利诉讼保护自己的技术垄断地位并限制竞争对手的发展。

            我国的LED产业起步较晚,在LED专利上处于比较被动的局面。由于国内企业的规模都还比较小,两年内出现针对中国企业的大规模诉讼的可能性不大。

            未来我国企业有可能在复合衬底和白光普通照明管芯技术上取得突破,扭转不利的专利格局。随着韩国、我国大陆和台湾地区的LED产业逐步具备一定创新能力,未来美、欧和日等国的技术领先企业将更为积极低进行专利授权。

            各国发展LED产业的道路不同

            半导体照明被普遍认为是二十一世纪最有可能进入普通照明领域的一种新型固态冷光源,同时也是最具发展前景的高技术领域之一。世界各主要国家和地区都制定了相关的产业计划,支持LED产业的发展。

            各国LED产业发展路线各不相同。

            LED技术起源于美国。依托完善的研发体系和强大的研发能力,美国LED产业的发展路线是通过技术突破带动市场。美国LED企业的研发活动集中产业链的上游,侧重于核心技术的研发。例如,Cree公司掌握的碳化硅衬底是LED衬底的两大主流技术之一,Cree占有全球4%的市场份额。美国企业倾向于将低利润率的制造环节外包,所以其LED产值在各国中并不是最大的。

           日本企业虽然以应用研发和工艺改良见长,但是以日亚化学和丰田合成为代表的日本企业却在LED基础技术研发中处于领先地位,而且从上游材料和设备到下游封装和应用,日本企业形成了完整的LED产业链。二十世纪九十年代初,日本科学家率先在氮化物半导体材料上取得突破,1993年日亚化学开发出蓝光LED,2001年它开始提供白光LED。日亚化学是世界上最大的LED厂商,2004年收入超过20亿美元。日亚力图将研发和生产完全置于自己的控制之下,因此它是LED专利纠纷最主要的发起者。随着竞争对手一步步缩小与日亚在白光LED上的技术差距,日亚开始与竞争对手和下游厂商进行专利合作。

            台湾LED产业的起步比美国、日本晚,但是从2004年开始,台湾的LED产值就居全球第二位,GaN管芯产量居全球第一位。与美、日等国企业注重上游技术研发不同,台湾企业从技术要求较低的下游封装开始,通过大规模投资不断扩大产能从而降低产品价格,以此获取市场份额。台湾企业从手机蓝色背光源LED取得突破—2000年晶元光电抓住三星电子需要手机背光源LED的需求,快速研发出全球第一只手机用蓝色背光源LED。当时台湾厂商生产的LED的发光性能不如日本厂商,但是手机背光源不需要太高的性能,而且台湾产LED的成本仅是日本的三分之一,符合三星电子的低成本导向。以此为契机,台湾LED产业迅速壮大。尽管上游关键材料、专用设备仍需要大量进口而且低端产品供过于求而高端产品供不应求,但是近年来台湾厂商越来越重视对上游外延和芯片的投资,在材料、工艺、封装等方面已经具备若干自主知识产权,逐渐建立起完整的LED产业链。

             中国大陆的LED产业仍然处于起步阶段。2006年中国大陆的LED产值达到146亿元,比2005年增长40%以上。中国已经成为世界上重要的中低端LED封装生产基地。2003年6月17日由中国科技部牵头成立了跨部门、跨地区、跨行业的“国家半导体照明工程协调领导小组”,从“十一五”计划开始,国家将把半导体照明工程作为一个重大工程进行推动。2004年科技部批准上海、大连、南昌、厦门和深圳为“国家半导体照明工程产业化基地”。

            根据中国光协光电器件分会统计和测算,2006年国内从事LED外延和芯片研发和生产的企业约有30多家,封装企业600余家,应用和配套企业1700多家。大部分企业集中在下游,所需芯片、关键设备和技术大部分得从境外进口。

           目前国产LED蓝光和绿光芯片的国内市场占有率仅为30%左右,集中在发光效率25lm/w的中低端产品,价格竞争激烈。

           中国发展LED产业的优势在于庞大的应用市场和生产配套能力,而且国内企业已经开始在材料和外延生长等上游领域取得进展。南昌大学的硅衬底上生长GaN外延材料路线如果能够成功产业化,则将打破日亚化学和Cree垄断蓝光专利的局面。同方股份的子公司清芯光电由从韩国回国的技术人员参与创立,在外延生长上的技术和工艺上处于全球竞争力,其生产的芯片可以达到封装后60lm/w

         代表性LED公司波浪型前进

         LED产业70%的价值由上游环节创造。行业中具有全球代表性的公司以日本、美国和欧洲公司为主,有很强的技术创新能力,拥有基材、荧光粉等核心技术专利。

         日本的日亚化学和丰田合成、美国的CREE和LUMILEDS以及德国的OSRAM OPTO是全球五大LED厂商,它们各自对LED技术的发展做出自己的贡献。日亚化学和丰田合成以首先研制成功蓝光LED而闻名全球,日亚化学在运用专利诉讼保护知识产权上最为积极。CREE拥有在SiC衬底上生长GaN外延片用以制作蓝光LED的专利,这是一种不同于以蓝宝石为衬底生长GaN外延的路线。LUMILEDS的前身是惠普的光学部门,有四十年的历史。目前LUMILEDS是飞利浦的全资子公司。它的倒梯形功率型大面积芯片的工作电流可达至500mA,发光通量大于60lm/w。OSRAM OPTO在汽车LED市场中占据绝大部分市场份额。

          尽管五大厂商在技术上领先,2003年以后小尺寸LCD和手机背光源市场成长速度趋缓使它们的收入和盈利成长性差强人意。例如,CREE在近三年的收入和利润一直在下降(见图9)。2006财年CREE的收入中56%来自手机背光源,这一市场成长缓慢影响了公司的收入和利润增长速度。

         未来大尺寸液晶屏幕背光源是重要的、规模更加庞大的应用市场。LED市场的竞争格局尚未定型,如同80年代的个人电脑产业,在市场起步阶段在技术上处于领先地位的厂商未必能笑到最后。我们认为,专业化分工可能是未来这个行业的发展方向,即少数几家企业专注于上游材料研发,更多数量的企业从事外延和芯片生产,绝大多数的企业在下游从事封装和应用。丰田合成和OSRAM OPTO频频将LED芯片交由台湾厂商代工代表着一种趋势。

          LED上游关键设备MOCVD设备的市场集中度很高,AIXTRON占全球70%市场份额,VEECO占20%,NIPPON SANSO占7%。AIXTRON是一家总部位于德国亚琛的MOCVD设备供应商。它于1983年从德国亚琛工业大学分立出来。目前公司的产品和技术覆盖化合物半导体(CSTS)、硅半导体(SSTS)

         和有机半导体(OSTS)三大领域。MOCVD是AIXTRON最主要的产品。下游的旺盛需求使AIXTRON的收入连续6个季度保持在4000万欧元之上。

          AIXTRON在纳斯达克上市,过去一年公司的股价上涨210.8%。

         生产LED外延片和芯片台湾厂商主要是晶元光电,其2006年的收入达到64.4亿元新台币。晶元光电于2005年并购国联光电,2006年并购元坤光电和连勇光电。在并购之前,国联和元坤的规模与晶元光电相差无几,甚至超过晶元。目前晶元光电已经具备全球影响力,在2005年合并国联光电之后,公司就已经是全球最大的四元LED外延片供货商。2006年晶元光电的毛利率为29.8%。

         在国内上市公司中,从事LED制造的有士兰微、联创光电和同方股份等公司。

         士兰微的全资子公司士兰明芯设计、制造高亮度LED芯片,目前拥有两台MOCVD设备,07年又购置两台,在下半年投入使用。2007年上半年,LED芯片收入为5158万元,同比增长8.0倍,毛利率37.7%。

         联创光电从事LED外延生长、芯片制造和封装等业务,形成比较完整的产业链。公司能够年产20万平方英寸液相外延片,5万平方英寸蓝、绿光外延片、60亿粒LED芯片、2亿只片式发光管、2亿只高亮单灯、1500万只平面发光器件和1500万块手机背光源。07年上半年,光电器件及应用产品的收入为2.6亿元,同比增长11.3%,毛利率为16.7%。联创光电的LED产品较为低端,而且以封装业务为主。

          同方股份持有55%股权的清芯光电生产高亮度GaN基外延片和芯片,目前其LED产品封装后可达60lm/w。清芯光电拥有核心MOCVD设备、高亮度蓝绿光LED外延片生长、高亮度蓝绿光芯片制造的知识产权。由于能够自行设计、制造MOCVD设备,相比采购商用MOCVD设备的国内和台湾LED芯片厂商,清芯光电在设备采购成本、运营维护成本和快速扩张产能上具有优势。公司开发出独特的湿法蚀刻蓝宝石预处理技术,使出光效率提高40%以上。2006年8月公司建成投产我国第一条发光效率超过50lm/w的白光LED生产线,而台湾厂商同期的高亮度LED产品的发光效率为45lm/w。公司现有两台MOCVD设备,明年1季度新增的3台设备将调试完毕投入生产。公司计划明年另外新增15台MOCVD设备,使产能达到年产12亿颗高亮度芯片。全部达产后,公司可望每年实现销售收入7亿元,按目前价格水平净利润约2亿元。根据同方股份11月5日公布的董事会决议,明年配股完成后,公司将拥有45条生产线,最终形成年产36亿颗高亮度芯片的生产能力。

          从2007年开始大尺寸LCD背光源市场开始启动。丰田合成已经研发出一颗蓝光芯片加双色荧光粉发出白光的技术,这样LED背光源模组的成本仅比CCFL高20%,可以实现产业化。台湾晶元光电董事长李秉杰表示由于LED的应用面大大拓展,蓝光LED供不应求,晶元光电产能落后订单30%至40%,2008年4月才能实现供需平衡。他还认为今后两年笔记本电脑背光源是LED产业的焦点,LED背光源笔记本电脑普及率将达到40%以上,从2010年起LED背光源电视将显著成长。按30%的普及率计算,2008年笔记本和台式电脑显示器需要约45颗芯片。

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