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发光二极管芯片之InGaN蓝绿LED现状

发光二极管芯片之InGaN蓝绿LED现状

  • 分类:索菲动态
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  • 发布时间:2011-09-21 12:30
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1示出了InGaN蓝绿LED的结构。InGaN是三元 族半导体化合物,它的带隙随In含量变化,可以从1.95eV变到3.4eV。由于InGaN单晶生长温度下的分解压高,所以很难获得高质量的单晶。90年代初,日本中村研究组采用双流(TF)MOCVD法获得了高质量的InGaN单晶薄膜,它的PL光谱如图2所示,可以看出发射处于蓝色区域。蓝绿LED的流明效率已经分别高达7lm/W25lm/W2.2.3 白色LED[1]3种方法可以实现白光,一种是将不同发光色的(如蓝和黄、蓝、绿和)LED组合在一起;另一种方法是将蓝色LED与发光粉组合在一起,LED的蓝光激发发黄光的发光粉,可以获得如图3所示的蓝色LED与发光粉组合发光光谱,由图3可以看出,LED激发发光粉的同时,光谱中也还含有LED的蓝色发光成分。第一种方法需要注意的是要想保持亮度从低到高,必须严格控制各个发光色的电流大小。对于第二种方法,要获得高显色性白光源,要求发光粉应有宽带发射谱以及蓝光激发下的高转换效率。表1给出了白色LED和白炽灯性能比较。若色温定在8000K,20mA电流驱动下,则输出功率为4mW,效率可达15lm/W,平均显色指数R0=85。还有一种方法也可以实现白光,不用荧光粉,只用ZnCdSe - LED就可以实现白光发射。

 

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