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依靠内部构造来对LED发光二极管分类

依靠内部构造来对LED发光二极管分类

  • 分类:技术文章
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2011-05-27 12:30
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【概要描述】

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  半导体二极管主要是依靠pn结而工作的。与pn结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据pn结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:

 1、点接触型二极管

   点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其pn结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

 2、键型二极管

   键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的pn结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50ma)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

 3、合金型二极管

   在n型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作pn结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其pn结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

 4、扩散型二极管

   在高温的p型杂质气体中,加热n型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成p型,以此法pn结。因pn结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

 5、台面型二极管

   pn结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留pn结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

 6、平面型二极管

   在半导体单晶片(主要地是n型硅单晶片)上,扩散p型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在n型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的pn结。因此,不需要为调整pn结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,pn结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。

 7、合金扩散型二极管

   它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的pn结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

 8、外延型二极管

  用外延面长的过程制造pn结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

 9、肖特基二极管

    基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(n型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与pn结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40v左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

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