此前成功开发出了以+2.9V电压驱动的氮化镓(GaN)蓝色发光二极管(LED)的美国Kopin公司日前公布了该LED的规格、销售日期及低电压驱动技术。计划上市的型号的波长为470nm，ESD(electrostatic discharge)达+1000V以上。亮度在驱动电压+2.9V、驱动电流20mA的情况下可达60mcd。由于驱动电压低于其它公司同等亮度的产品，耗电量可降低25%。该产品命名为“CyberLite”，计划在2002年底之前量产供货。由于量产规模“将取决于可获得的客户数量”(Kopin董事长兼CEO、总裁John C.C. Fan)，目前尚未确定。当前仅备有蓝色LED。另外，该公司即将销售的并非封装后的LED，而是封装前的LED芯片及嵌入LED的晶片。芯片尺寸方面，除备有0.3mm×0.3mm的产品之外，还可以根据客户需求定制。

CyberLite之所以能以+3.3V～+3.5V这一低于其他公司产品的电压驱动，是因为采用了名为“NanoPocket”的LED发光层形成技术。所谓NanoPocket，就是减小位于结晶缺陷附近的、用氮化銦鎵(InGaN)材料形成的发光层的厚度，而加大位于其它部位的发光层的厚度。发光层的厚度范围在LED的发光面内为1.5nm～2.5nm。发光层较厚的部位与较薄的部位相比，发光层的带隙(Band Gap)较低，为100meV～200meV。由p型层产生的正孔与由n型层产生的电子集中于带隙较低的部位发光。“驱动电压增加的原因就是发光面存在结晶缺陷。如果没有结晶缺陷，用+2.8V的电压也能够驱动。通过NanoPocket技术降低了在结晶缺陷附近的发光。因此，结晶缺陷对LED的发光影响变得极小，以+2.9V电压也能够驱动”(Fan)。　　

包括NanoPocket技术在内，此次开发的LED不存在侵犯其它公司专利的情况。“在p型氮化镓层的热处理方法及结晶的形成方法等方面都做了充分考虑，不与日亚化学工业等先行制造商的技术发生冲突。关于结晶的生成方法，应用了在此前的砷化镓(GaAs)技术开发中积累的技术”(Fan)。(日经BP社)